Samsung Electronics a prezentat la conferința Future of Memory and Storage din California prototipul BV-NAND, o tehnologie de memorie care aduce un nou nivel de densitate și performanță, având peste 400 de straturi și o arhitectură inovativă de lipire a plăcilor.

Această tehnologie răspunde nevoii crescute de stocare de mare capacitate în sectorul inteligenței artificiale, care implică procese complexe precum generarea de conținut, pe lângă antrenarea modelelor.

Compania a prezentat și alte inovații în domeniul memoriei 3D, subliniind angajamentul său pentru eficiență energetică și performanță sporită, în contextul unei piețe dinamice și competitive.