Samsung a prezentat conceptul său inovator de arhitectură 3D pentru memorie, zHBM și zNAND-O, care folosește stacking vertical pentru a depăși limitele integratei tradiționale și a crește performanța în dispozitive AI.

Noua arhitectură include peste 400 de straturi în cazul V10-BV-NAND, oferind o densitate de memorie de peste zece ori mai mare comparativ cu HBM5, cu un consum energetic redus și cu o stabilitate termică sporită.

Acest design favorizează latențe mai mici și viteze mai mari de transfer date, fiind crucial pentru creșterea eficienței și capacității de procesare în sistemele inteligente și cloud.