Samsung va utiliza tehnologia High-NA EUV pentru fabricarea memoriilor DRAM, sporind precizia și densitatea circuitelor începând cu anul 2028.

Această tehnologie implică utilizarea unor măști mai mari și sisteme optice avansate pentru a evita problemele de aliniere și a crește capacitatea de producție.

Adoptarea High-NA EUV marchează un pas important în competiția globală a producătorilor de semiconductoare.