Micron a demonstrat un modul de memorie DDR5 de 512GB folosind tehnologia 3D die stacking pentru a obține densitate maximă și consum energetic redus, accelerând astfel performanța în aplicațiile complexe.

Modulul poate funcționa cu viteze de transfer de până la 9.200 MT/s și ajută centrele de date să susțină volume mari de date pentru inteligența artificială și virtualizare, cu o reducere de peste 60% a consumului de energie față de soluții anterioare.

Parteneri majori precum AMD și Intel susțin integrarea acestei tehnologii în platformele viitoare, iar producția volume a modulelor este planificată pentru a doua jumătate a anului 2027.