Samsung confirmă dezvoltarea tehnologiei 4F2 VCT pentru memorii DRAM, aducând îmbunătățiri în densitate și eficiența consumului energetic.

Aceasta utilizează tranzistori verticali pentru a crește capacitatea pe cipuri fără creșterea dimensiunii fizice.

Evoluția tehnologică răspunde rivalității cu producătorii chinezi și pregătește lansarea unei noi generații competitive de memorii.